IPD10N03LA G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD10N03LA G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3-11 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 52W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1358 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD10N |
IPD10N03LA G Einzelheiten PDF [English] | IPD10N03LA G PDF - EN.pdf |
IPD10N03LAG INFINEO
IPD10N03B I
IPD105N04L G I
INFINEON TO-252
IPD110N12N3G I
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
INF TO-252
IPD110N12N3 G Infineo
IPD105N04LG INFINEO
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IPD110N12N3 Infineon
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPD10N03LA GInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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